时间：2025/4/29 10:28:25
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BSC018N04LS G 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沒尔场效应晶体管（N-MOSFET）。该器件采用先进的 Trench 技术制造，具有低导通电阻和快速开关性能的特点。其典型应用包括 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关和电池保护电路等。该器件的封装形式为 SOT223，能够提供出色的功率密度和散热性能。
BSC018N04LS G 的额定电压为 40V，适合在低压应用场景中使用。其低导通电阻有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：9.6A
导通电阻（Rds(on)）：18mΩ
栅极电荷：17nC
总电容：250pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SOT223
BSC018N04LS G 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗，并提升系统的能效表现。
2. 快速开关能力，适合高频开关应用。
3. 高雪崩能量能力，增强器件的耐用性和可靠性。
4. 小型封装设计（SOT223），节省 PCB 空间。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子设备的需求。
6. 支持宽泛的工作温度范围，适应各种环境条件下的使用需求。
这些特性使 BSC018N04LS G 成为高效能、紧凑型电源管理解决方案的理想选择。
BSC018N04LS G 可广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 各类负载开关和电池保护电路。
5. 便携式电子6. 工业自动化控制中的继电器替代方案。
由于其出色的性能和可靠性，BSC018N04LS G 在消费电子、工业控制和汽车电子等领域均得到了广泛应用。
BSC018N04LS_G, IPP018N04L
